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元器件采购网 > I-410页 > FET - 单IPI029N06N

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IPI029N06N

TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA Infineon Technologies 闁活澀绲婚惁浠嬫晬閿燂拷0755-83217923
询价QQ:闁告粌鏈崹婊堝础閾忣偅顦уù婧垮€涢惃锟�
IPI029N06N参数
产品类别:分立半导体产品-FET - 单
说明:MOSF N CH 60V 24A TO262-3
包装数量:250
包装形式:散装
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FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:逻辑电平门
漏源极电压 (Vdss):60V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时):24A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值):2.9 毫欧 @ 100A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2.8V @ 75µA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):20nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):4100pF @ 30V
功率 - 最大值:3W
安装类型:通孔

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